198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BFU760F,115

BFU760F,115
  • Производитель: NXP Semiconductors
  • Описание:РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология SiGe
  • Полярность транзистора -
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe155
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 2.8 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1 V
  • Непрерывный коллекторный ток 70 mA
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Конфигурация -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-343
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel