198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

APT150GN60J

APT150GN60J
  • Производитель: Microchip / Microsemi
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 220 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
  • Pd - рассеивание мощности 536 W
  • Упаковка / блок SOT-227-4
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube