198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

VS-GT200TP065N

VS-GT200TP065N
  • Производитель: Vishay Semiconductors
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт -
  • Конфигурация Half Bridge
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 221 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
  • Pd - рассеивание мощности 600 W
  • Упаковка / блок INT-A-PAK
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -