198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

STGIPS30C60-H

STGIPS30C60-H
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A SLIMM 3-Ph Trench Gate IGBT
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация 3-Phase
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности 52 W
  • Упаковка / блок SDIP-25
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube