198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

A2C25S12M3-F

A2C25S12M3-F
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Converter Inverter Brake
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
  • Pd - рассеивание мощности 197 W
  • Упаковка / блок ACEPACK2
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -