NXH80T120L2Q0S1G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация T-Type
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V, 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V, 2.05 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 49 A, 67 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA, 300 nA
- Pd - рассеивание мощности 158 W
- Упаковка / блок Q0PACK
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
