STGIB8CH60TS-E
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.91 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 12 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 50 W
- Упаковка / блок SDIP2B-26
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка -
