FPF2C8P2NL07A
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM F2 NPC 650V 50A
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.13 V, 2.49 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A, 50 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 2 uA, 2 uA
- Pd - рассеивание мощности 135 W, 174 W
- Упаковка / блок F2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
