STGIB10CH60TS-E
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 66 W
- Упаковка / блок SDIP2B-26
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка -
