198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

STGIPQ5C60T-HZ

STGIPQ5C60T-HZ
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
  • Конфигурация Half Bridge
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Упаковка / блок N2DIP-26
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube