MG12100D-BA1MM
- Производитель: Littelfuse
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A Dual
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 160 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 1000 W
- Упаковка / блок Package D
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
