198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

FGB3040G2-F085C

FGB3040G2-F085C
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок D2PAK-3
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.15 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 10 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 41 A
  • Pd - рассеивание мощности 150 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия -
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel