STGWT60H65FB
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3P
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
- Pd - рассеивание мощности 375 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGWT60H65FB
- Квалификация -
- Упаковка Tube
