APT25GN120SG
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, D3, TO-268, RoHS
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок D3PAK-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 67 A
- Pd - рассеивание мощности 272 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
