RGS80TSX2HRC11
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247N-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
- Pd - рассеивание мощности 555 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
