FGY100T65SCDT
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 100A 650V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A
- Pd - рассеивание мощности 750 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
