TIG065E8-TL-H
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER SWITCHING
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок ECH-8
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single Quad Collector Triple Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4.2 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 4 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия TIG065E8
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
