198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

STGB10NB37LZT4

STGB10NB37LZT4
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок D2PAK-3
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 440 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 16 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия STGB10NB37LZ
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel