FGH75T65SHDTLN4
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 75A 65
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-4
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
- Pd - рассеивание мощности 455 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
