SGP23N60UFDTU
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 23 A
- Pd - рассеивание мощности 100 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия SGP23N60UFD
- Квалификация -
- Упаковка Tube
