STGB10H60DF
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок D2PAK
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
- Pd - рассеивание мощности 115 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGB10H60DF
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
