STGB14NC60KDT4
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок D2PAK-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия STGB14NC60KDT4
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
