IRG6B330UDPBF
- Производитель: Infineon / IR
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 330 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.69 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 70 A
- Pd - рассеивание мощности 160 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
