FGA20N120FTDTU
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V N-Chan Trench
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3PN-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия FGA20N120FTD
- Квалификация -
- Упаковка Tube
