198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

LN60A01ES-LF-P

LN60A01ES-LF-P
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOIC-8
  • Количество каналов 3 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
  • Id - непрерывный ток утечки 0.08 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 Ohms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.8 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 15 V
  • Qg - заряд затвора -
  • Минимальная рабочая температура - 20 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 1.3 W
  • Конфигурация Triple
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка -