198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

UT6K3TCR

UT6K3TCR
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Описание:МОП-транзистор 30V Nch+Nch Si МОП-транзистор
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок HUML2020L-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 5.5 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 30 mOhms, 30 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 500 mV
  • Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
  • Qg - заряд затвора 4 nC, 4 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 2 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel