VNP35N07-E
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:МОП-транзистор N-Ch 70V 35A OmniFET
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 35 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 28 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток -
- Qg - заряд затвора 100 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 40 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube
