198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

GA10SICP12-263

GA10SICP12-263
  • Производитель: GeneSiC Semiconductor
  • Описание:МОП-транзистор 1200V 25A Std SIC CoPak
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология SiC
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-263-7
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.2 kV
  • Id - непрерывный ток утечки 25 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
  • Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
  • Qg - заряд затвора 55 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности 170 W
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel