198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

US6M2TR

US6M2TR
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Описание:МОП-транзистор N+P 20V 1.5A/1A
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-363T-6
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V, 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1 A, 1.5 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 240 mOhms, 390 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 700 mV, 500 mV
  • Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
  • Qg - заряд затвора 1.6 nC, 2.1 nC
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 1 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel