198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3
  • Производитель: Vishay Semiconductors
  • Описание:МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
  • Id - непрерывный ток утечки 6 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 36 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 6.2 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Pd - рассеивание мощности 27.8 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, Reel