198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3
  • Производитель: Vishay Semiconductors
  • Описание:МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerPAIR-6x5F-8
  • Количество каналов 2 Channel
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки 60 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.8 mOhms, 1.17 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 24.5 nC, 100 nC
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 38 W, 83 W
  • Конфигурация Dual
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
  • Упаковка Cut Tape, Reel