198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

ES6U1T2R

ES6U1T2R
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Описание:МОП-транзистор 1.5V Drive Pch+SBD МОП-транзистор
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-563T-6
  • Количество каналов 1 Channel
  • Полярность транзистора P-Channel, SBD
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1.3 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 190 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
  • Qg - заряд затвора 2.4 nC
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 800 mW
  • Конфигурация Single
  • Канальный режим Enhancement
  • Квалификация -
  • Коммерческое обозначение -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel