HS8K1TB
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор 30V NCH+NCH POWER
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок HSML3030L-10
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 11 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.8 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 6 nC, 7.4 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel
