ES6U2T2R
- Производитель: ROHM Semiconductor
- Описание:МОП-транзистор ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-563T-6
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, SBD
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 1.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 130 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 1.8 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 800 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
