Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 17.1 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.7 V
- Id - непрерывный ток утечки 557 mA
- Выходная мощность 11 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 15.3 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок QFN-EP-16
- Упаковка Tray
