198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

A3I35D025WGNR1

A3I35D025WGNR1
  • Производитель: NXP Semiconductors
  • Описание:РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V
Запрос:
Технические характеристики
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-270WBG-17
  • Тип Wideband
  • Технология -
  • Рабочая частота 3200 MHz to 4000 MHz
  • P1dB - точка сжатия -
  • Усиление 28.5 dB
  • Рабочее напряжение питания 28 V
  • NF - коэффициент шумов -
  • Тестовая частота 3800 MHz
  • OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -
  • Рабочий ток источника питания 260 mA
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Серия A3I35D025
  • Упаковка Reel