HMC-ALH444
- Производитель: Analog Devices / Hittite
- Описание:РЧ-усилитель GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Тип RF Amplifier
- Технология GaAs
- Рабочая частота 12 GHz
- P1dB - точка сжатия 19 dBm
- Усиление 17 dB
- Рабочее напряжение питания 5 V
- NF - коэффициент шумов 1.75 dB
- Тестовая частота -
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 28 dBm
- Рабочий ток источника питания 55 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Квалификация -
- Серия HMC-ALH444G
- Упаковка Gel Pack
