198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

DRAM

Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
W987D2HBJX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R Заказать
W987D6HBGX6E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz Заказать
W987D6HBGX6E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R Заказать
W987D6HBGX6I Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp Заказать
W987D6HBGX6I TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R Заказать
W987D6HBGX7E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm Заказать
W987D6HBGX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R Заказать
W988D2FBJX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz Заказать
W988D2FBJX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp Заказать
W988D2FBJX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R Заказать
W988D2FBJX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm Заказать
W988D6FBGX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz Заказать
W988D6FBGX6E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz T&R Заказать
W988D6FBGX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp Заказать
W988D6FBGX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R Заказать
W988D6FBGX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm Заказать
W988D6FBGX7E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R Заказать
W989D2DBJX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm Заказать
W989D2DBJX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm T&R Заказать
W989D6DBGX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm Заказать
W989D6DBGX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm Заказать