198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

РЧ МОП-транзисторы

Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
MRF300BN NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Заказать
MRFX035HR5 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V Заказать
MRFX1K80GNR5 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Заказать
MRFX1K80N-230MHZ NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N-230MHZ Заказать
MRFX1K80N-88MHZ NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit Заказать
MRFX1K80NR5 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz Заказать
MRFX600GSR5 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Заказать
MRFX600HR5 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Заказать
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Заказать