198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
IRGS10B60KDTRRP Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES Заказать
TDB6HK180N16RR Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
TDB6HK180N16RR_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 180A Заказать
TDB6HK180N16RR_B48 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Заказать
TDB6HK240N16P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 240A Заказать
TDB6HK360N16P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 360A Заказать