198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
APTGTQ100DDA65T3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3202 Заказать
APTGTQ100H65T3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189 Заказать
APTGTQ100SK65T1G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124 Заказать
APTGTQ150TA65TPG Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546 Заказать
APTGTQ200A65T3G Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201 Заказать
APTGTQ200DA65T3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199 Заказать
APTGTQ200SK65T3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200 Заказать
APTGTQ50TA65T3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203 Заказать
APTGV50H60BT3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT Заказать
APTLGL325A1208G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021 Заказать
APTLGT300A1208G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023 Заказать
APTLGT400A608G Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 Заказать