198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FAM65CR51DZ2 ON Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET Заказать
FAM65HR51DS2 ON Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3 Заказать
NXH160T120L2Q2F2SG ON Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT Заказать
NXH80B120H2Q0SG ON Semiconductor
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE Заказать
NXH80T120L2Q0S1G ON Semiconductor
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE Заказать