198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIKB30N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Заказать
AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW40N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AIKW75N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT Заказать
AUIRG4BC30U-S Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT Заказать
AUIRG4BC30USTRL Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT Заказать
AUIRG4PH50S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE AUTO IGBT Заказать
AUIRGF66524D0 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V COOLiRIGBT Заказать
AUIRGF76524D0 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES Заказать
AUIRGP35B60PD Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) AUTO 600V WARP2 150KHZ 84mOhm Заказать