198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
RGTH00TK65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH00TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH40TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH40TK65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH40TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH50TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH50TK65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH60TK65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH60TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH80TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP Заказать
RGTH80TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench Заказать
RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N Заказать
RGTV00TK65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT Заказать
RGTV00TK65GVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT Заказать
RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT Заказать
RGTV00TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT Заказать
RGTV60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT Заказать