198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
BSM100GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL Заказать
BSM100GB120DLCK Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL Заказать
BSM100GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL Заказать
BSM100GB120DN2K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL Заказать
BSM100GB170DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL Заказать
BSM100GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL Заказать
BSM100GD120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE Заказать
BSM100GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE Заказать
BSM100GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE Заказать
BSM100GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIM Заказать
BSM10GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE Заказать
BSM10GD120DN2E3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A Заказать
BSM10GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM Заказать
BSM10GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIM Заказать
BSM150GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL Заказать
BSM150GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL Заказать
BSM150GB170DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL Заказать
BSM150GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL Заказать
BSM15GD120DLCE3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A Заказать
BSM15GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE Заказать
BSM15GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A Заказать
BSM15GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM Заказать
BSM15GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIM Заказать
BSM200GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE Заказать