198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
SGP10N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT Заказать
SGP23N60UFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT Заказать
SGP23N60UFTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT Заказать
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/w/FRD Заказать