|
|
STGB30H60DLLFBAG |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Заказать
|
|
|
STGB30H65FB |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package |
Заказать
|
|
|
STGB30M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Заказать
|
|
|
STGB30V60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
Заказать
|
|
|
STGB30V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
Заказать
|
|
|
STGB3NC120HDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast |
Заказать
|
|
|
STGB40H65FB |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
Заказать
|
|
|
STGB40V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
Заказать
|
|
|
STGB4M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss |
Заказать
|
|
|
STGB5H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Заказать
|
|
|
STGB6M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
Заказать
|
|
|
STGB6NC60HDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT |
Заказать
|
|
|
STGB7H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
Заказать
|
|
|
STGB7NC60HDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp |
Заказать
|
|
|
STGB8NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET |
Заказать
|
|
|
STGD10HF60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode |
Заказать
|
|
|
STGD10NC60HT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V |
Заказать
|
|
|
STGD10NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 10A |
Заказать
|
|
|
STGD14NC60KT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET |
Заказать
|
|
|
STGD18N40LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT |
Заказать
|
|
|
STGD19N40LZ |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ |
Заказать
|
|
|
STGD20N40LZ |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS |
Заказать
|
|
|
STGD20N45LZAG |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Заказать
|
|
|
STGD25N40LZAG |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Заказать
|
