| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказать |
|
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM | Заказать | |
|
STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp | Заказать | |
|
STGD3NC120H-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7 A, 1200 V very fast IGBT | Заказать | |
|
STGD4M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Заказать | |
|
STGD5H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | Заказать | |
|
STGD5NB120SZ-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT | Заказать | |
|
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 5 Amp | Заказать | |
|
STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Заказать | |
|
STGD6NC60H-1 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT | Заказать | |
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Заказать | |
|
STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp | Заказать | |
|
STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp | Заказать | |
|
STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET | Заказать | |
|
STGF10H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd | Заказать | |
|
STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss | Заказать | |
|
STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp | Заказать | |
|
STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Заказать | |
|
STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT | Заказать | |
|
STGF15H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd | Заказать | |
|
STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | Заказать | |
|
STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT | Заказать | |
|
STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT | Заказать | |
|
STGF20H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT | Заказать | |
|
STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | Заказать |
